MOSFET de puissance à double canal N NVMFD6H846NL

Le MOSFET de puissance à double canal N NVMFD6H846NL d'Onsemi est conçu pour des conceptions compactes et efficaces avec des performances thermiques élevées. Ce MOSFET d'onsemi dispose d'une faible RDS(on) pour réduire au minimum les pertes en conduction et de QG/capacité faibles pour limiter les pertes de pilote. Le MOSFET NVMFD6H846NL offre une petite empreinte avec des dimensions de 5 mm x 6 mm. Ce MOSFET est homologué AEC-Q101 et compatible PHPP. Les applications typiques comprennent la protection contre les inversions de polarité de la batterie, les commutateurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas et ponts en H) et les alimentations de commutation.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET T8 80V LL SO8FL DS 985En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL SO8FL DS 555En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape