MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4