MOSFET de puissance RS7

Les MOSFET de puissance RS7 de ROHM Semiconductor sont conçus pour offrir une performance élevée dans les entraînements à moteur, les applications decommutation et les convertisseurs CC/CC. Dotés d’une faible résistance, d’un boîtier DFN5060T8LSHAAE robuste et haute puissance, et d’un placage sans plomb, ces MOSFET RS7 de ROHM Semiconductor sont conformes à la directive RoHS et ne contiennent pas d’halogène. Chaque unité est soumise à 100 % de tests Rg et UIS pour garantir une fiabilité et une performance supérieures.

Résultats: 8
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 200A N-CH
Fiche technique
1 743En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 150V 125A N-CH
Fiche technique
1 748En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 30V 390A
Fiche technique
2 365En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 160A
Fiche technique
2 487En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 230A
Fiche technique
1 929En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 410A
Fiche technique
2 50026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 445A
Fiche technique
2 50026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 150A N-CH
Fiche technique
2 50009/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape