MOSFET de puissance RS7

Les MOSFET de puissance RS7 de ROHM Semiconductor sont conçus pour offrir une performance élevée dans les entraînements à moteur, les applications decommutation et les convertisseurs CC/CC. Dotés d’une faible résistance, d’un boîtier DFN5060T8LSHAAE robuste et haute puissance, et d’un placage sans plomb, ces MOSFET RS7 de ROHM Semiconductor sont conformes à la directive RoHS et ne contiennent pas d’halogène. Chaque unité est soumise à 100 % de tests Rg et UIS pour garantir une fiabilité et une performance supérieures.

Résultats: 8
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 30V 390A
Fiche technique
2 330En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 160A
Fiche technique
2 477En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 230A
Fiche technique
1 644En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 150V 125A N-CH
Fiche technique
2 343En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 410A
Fiche technique
2 50028/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 445A
Fiche technique
2 43028/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 150A N-CH
Fiche technique
2 50003/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 200A N-CH
Fiche technique
5 00026/01/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel