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FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 8.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-FFSH30120A-F155

N° de fab. :

FFSH30120A-F155

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

Fiche technique:

FFSH30120A-F155 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	30 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.45 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	230 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSH30120A-F155
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	500 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

FFSH30120A-F155 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes au carbure de silicium (SiC) FFSH10120A-F155

Les diodes au carbure de silicium (SiC) FFSH10120A-F155 d'onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Le FFSH10120A-F155 d'onsemi dispose d'une faible résistance à l'état passant et d'une taille de puce compacte qui garantit une faible capacité et une faible charge de grille. Les systèmes présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.