MOSFET de classe X2 IXFH60N65X2-4 et IXFH80N65X2-4

Les MOSFET discrets de classe X2 IXFH60N65X2-4 et IXFH80N65X2-4 d'IXYS offrent une faible résistance drain-source (38 mΩ ou 52 mΩ) et une faible charge de grille dans un boîtier aux normes internationales capable de supporter le mode avalanche. Les MOSFET discrets de classe X2 IXFH60N65X2-4 et IXFH80N65X2-4 d'IXYS se caractérisent aussi par une faible inductance de boîtier et une tension de claquage drain-source de 650 V. Les applications incluent les alimentations à découpage et à résonance, les convertisseurs CC-CC, etc.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
Fiche technique
509En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube