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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMYS4D5N04CTWG

N° de fab. :

NVMYS4D5N04CTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V SL LFPAK

Fiche technique:

NVMYS4D5N04CTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,44 €	1,44 €
	0,92 €	9,20 €
	0,612 €	61,20 €
	0,483 €	241,50 €
	0,441 €	441,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,405 €	1 215,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	55 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	57 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	80 ns
Série:	NVMYS4D5N04C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

NVMYS4D5N04CTWG Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NVMYS4D5N04C

Les MOSFET de puissance monocanal N NVMYS4D5N04C d'onsemi sont conçus pour les applications automobiles et intégrés dans un boîtier LFPAK de 5 mm x 6 mm. Le NVMYS4D5N04C d'onsemi facilite des conceptions compactes et efficaces tout en assurant des performances thermiques élevées. Les MOSFET sont homologués AEC-Q101 et compatibles PPAP pour les applications automobiles qui nécessitent une fiabilité améliorée au niveau de la carte.