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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMYS4D5N04CTWG

N° de fab. :

NVMYS4D5N04CTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V SL LFPAK

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

NVMYS4D5N04CTWG Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	55 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	57 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	80 ns
Série:	NVMYS4D5N04C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

NVMYS4D5N04CTWG Fiche technique

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-7-10 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMYS4D5N04C

Les MOSFET de puissance monocanal N NVMYS4D5N04C d'onsemi sont conçus pour les applications automobiles et intégrés dans un boîtier LFPAK de 5 mm x 6 mm. Le NVMYS4D5N04C d'onsemi facilite des conceptions compactes et efficaces tout en assurant des performances thermiques élevées. Les MOSFET sont homologués AEC-Q101 et compatibles PPAP pour les applications automobiles qui nécessitent une fiabilité améliorée au niveau de la carte.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on)et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 2 939

Stock:: 2 939 Expédition possible immédiatement

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,44 €	1,44 €
	0,92 €	9,20 €
	0,612 €	61,20 €
	0,483 €	241,50 €
	0,441 €	441,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,415 €	1 245,00 €
	0,41 €	2 460,00 €

NVMYS4D5N04CTWG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET T6 40V SL LFPAK

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

EOL

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance monocanal N NVMYS4D5N04C

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

En stock: 2 939

Prix (EUR)

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Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V SL LFPAK

PRODUITS PRÉSENTÉS

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