Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTMJS1D5N04CLTWG

Name: onsemi NTMJS1D5N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS1D5N04CLTWG
Price: 2.13 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMJS1D5N04CLTWG

N° de fab. :

NTMJS1D5N04CLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

Fiche technique:

NTMJS1D5N04CLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMJS1D5N04CLTWG

En stock: 3 000

Stock:: 3 000 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 3000 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,13 €	2,13 €
	1,38 €	13,80 €
	0,946 €	94,60 €
	0,753 €	376,50 €
	0,745 €	745,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,632 €	1 896,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	70 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	256 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	140 ns
Série:	NTMJS1D5N04CL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	99,445 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMJS1D5N04CLTWG Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.

NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low R_DS(on), low Gate Charge (Q_G), and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses while the low Q_G and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a -55°C to +175°C operating temperature range.