30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 5 586En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 16 231En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 13 517En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Dual power MOSFET 30V 468En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl 5 895En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 1 065En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 65 663En stock
465 050Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
7 45616/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Délai de livraison 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel