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STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP50N60DM6

N° de fab. :

STP50N60DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Fiche technique:

STP50N60DM6 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,32 €	5,32 €
	3,03 €	30,30 €
	2,78 €	278,00 €
	2,56 €	1 280,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ DM6 STP50N60DM6

Le MOSFET de puissance MDmesh™ DM6 STP50N60DM6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N et haute tension qui dispose d'une robustesse dv/dt extrêmement élevée. Ce MOSFET de puissance est une diode de corps à récupération rapide qui est protégée par Zener et testée à 100 % en avalanche. Le MOSFET de puissance STP50N60DM6 offre une faible charge de grille, une faible capacité d'entrée, une faible résistance et une R_DS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente. Ce MOSFET combine une très faible charge de récupération (Q_rr), un temps de récupération (t_rr) et une excellente amélioration de R_DS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces. Le MOSFET de puissance MDmesh DM6 STP50N60DM6 est idéal pour les applications de commutation.