VSLB4940

Vishay Semiconductors
78-VSLB4940
VSLB4940

Fab. :

Description :
Émetteurs infrarouges 940nm, T-1 65mW/sr, +/-22deg.

Modèle de ECAO:
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En stock: 8 233

Stock:
8 233 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,507 € 0,51 €
0,353 € 3,53 €
0,255 € 25,50 €
0,212 € 106,00 €
0,185 € 185,00 €
0,181 € 905,00 €
0,157 € 1 570,00 €
0,151 € 3 775,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: Émetteurs infrarouges
RoHS:  
Through Hole
940 nm
65 mW/sr
22 deg
100 mA
1.42 V
160 mW
- 25 C
+ 85 C
T-1 (3 mm)
Marque: Vishay Semiconductors
Temps de descente: 15 ns
Couleur d'éclairage: Infrared
Type de produit: IR Emitters (IR LEDs)
Temps de montée: 15 ns
Série: VSL
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Infrared Data Communications
Poids de l''unité: 233,750 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541410000
CNHTS:
8541410090
USHTS:
8541410000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

VSLB4940 High-Speed Infrared Emitting Diode

Vishay Semiconductors VSLB4940 High-Speed Infrared Emitting Diode is suitable for high pulse current operation. The VSLB4940 diode offers 940nm peak wavelength, 65mW/sr radiant intensity, ±22° beam angle, 1.42V typical forward voltage, and 15ns fall time. This infrared diode is available in GaAlAs, Multi-quantum Well (MQW) technology, and is molded in a clear plastic package. The VSLB4940 infrared diode comes in a leaded type T-1 package and ∅3mm dimensions. This infrared diode is suitable for applications like infrared remote control units, reflective sensors, and light barriers.