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SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SISH892BDN-T1-GE3

N° de fab. :

SISH892BDN-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SISH892BDN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,09 €	1,09 €
	0,688 €	6,88 €
	0,455 €	45,50 €
	0,354 €	177,00 €
	0,322 €	322,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,28 €	840,00 €
	0,267 €	1 602,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	30.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	17.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	29 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	33 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	SISH
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	9 ns

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MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
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MOSFET 100 V à canal N SISH892BDN

Le MOSFET 100 V à canal N SISH892BDN Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET^® Gen IV disposant de tests 100 % R_g et UIS. Le MOSFET SISH892BDN offre 100 V V_DS, 20 A I_D et 8 nC Q_g. Le MOSFET SISH892BDN Vishay/Siliconix est disponible en boîtier PowerPAK® 1212-8SH et dispose d'une plage de température de jonction en fonctionnement et de stockage de -55°C à +150°C.