MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Les MOSFET à base de SiC NXH0x0F120MNF1 onsemi sont des modules de puissance contenant un pont complet et une thermistance en boîtier F1. Ces MOSFET disposent de thermistances et de broches à insertion par pression.  Les modules NXH0x0F120MNF1 fournissent à la fois un Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans option de TIM pré-appliqué. Ces modules servent idéalement dans des onduleurs solaires, dans des alimentations électriques sans interruption, dans des stations de charge de véhicules électriques et dans des alimentations électriques industrielles. Les modules NXH0x0F120MNF1 sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules sont fournis avec -40°°C à 150°°C de plage de température de stockage et une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C.