Diodes à récupération rapide RFUH25NS3S

Les diodes à récupération rapide RFUH25NS3S ROHM Semiconductor  disposent d’une perte de commutation ultra-faible et d’une capacité de surcharge de courant élevée. Ces diodes de récupération comprennent une construction planaire épitaxiale en silicium. Les diodes de récupération RFUH25NS3S offrent une tension inverse de crête répétitive 350 V, un courant inverse de 10 μA et un pic de surtension de courant direct de 100 A. Ces diodes de récupération fonctionnent à une tension directe maximale de 1,45 V et sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Les diodes à récupération ultra-rapide RFUH25NS3S sont idéales pour une utilisation dans le redressement général.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vr - Tension inverse
If - Courant direct
Type
Configuration
Vf - Tension directe
Courant de surtension max.
Ir - Courant inverse
Délai de reprise
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor Redresseurs RFU 600V
Fiche technique
1 574En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Redresseurs RECT 430V 20A SM SUPER FST
Fiche technique
1 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 430 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.7 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Redresseurs RECT 350V 20A SM SUPER FST
Fiche technique
980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape