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NSS12100UW3TCG

Name: onsemi NSS12100UW3TCG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS12100UW3TCG
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSS12100UW3TCG

N° de fab. :

NSS12100UW3TCG

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Fiche technique:

NSS12100UW3TCG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,731 €	0,73 €
	0,456 €	4,56 €
	0,30 €	30,00 €
	0,23 €	115,00 €
	0,21 €	210,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,177 €	531,00 €
	0,164 €	984,00 €
	0,151 €	1 359,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	1 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	12 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	12 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	400 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	1.1 W
Produit gain-bande passante fT :	200 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NSS12100UW
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	MY
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	9,300 mg

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Fiche technique

NSS12100UW3TCG Fiche technique

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

Les transistors Onsemi e2PowerEdge à basse VCE_(sat) sont des dispositifs miniatures et montés en surface à ultra-faible tension de saturation (VCE_(sat)) et à capacité de gain élevé en courant. Ils sont conçus pour des applications de commutation à haute vitesse et à basse tension, où une régulation efficace et abordable de la consommation d'énergie s'avère essentielle. Les applications standard sont des convertisseurs CC-CC et la gestion d’alimentation électrique dans des produits portables et alimentés par batteries tels que des téléphones cellulaires et sans fil, des PDA, des ordinateurs, des imprimantes, des appareils photo numériques et des lecteurs MP3. D'autres applications sont des commandes de moteur sous basse tension dans les produits pour supports de mémoires de grandes capacités tels que des lecteurs de disques et de bandes. Ils peuvent servir au déploiement de coussins gonflables et à des grappes d’instruments dans l’industrie automobile. Le gain de courant élevé permet le pilotage direct de dispositifs e2PowerEdge onsemi à partir de sorties de commande PMU ’s, et le gain linéaire (bêta) en fait des composants idéaux dans des amplificateurs analogiques.