GaN Semi-conducteurs

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Fiche technique
165En stock
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: 250

MACOM Amplificateur RF DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
Fiche technique
5En stock
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MACOM FET GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Fiche technique
9En stock
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: 50

MACOM FET GaN 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Fiche technique
17En stock
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: 50

Qorvo Amplificateur RF 8W Reconfigurable S/X-Band PA
25En stock
Min. : 1
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: 250

MACOM FET GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Fiche technique
53En stock
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: 50

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi Convertisseurs CA / CC ACTIVE CLAMP FLYBACK
Fiche technique
2 322En stock
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: 2 500

Texas Instruments Commandes de grilles 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
Fiche technique
110En stock
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: 250

Texas Instruments Commandes de grilles 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
Fiche technique
140En stock
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: 250

Texas Instruments Commandes de grilles 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
Fiche technique
1 600En stock
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: 2 000

Texas Instruments Commandes de grilles 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Fiche technique
2 000En stock
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Texas Instruments Commandes de grilles 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
Fiche technique
2 000En stock
Min. : 1
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MACOM Amplificateur RF GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
Fiche technique
13En stock
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Mult. : 1

Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Fiche technique
345En stock
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: 2 000

Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Fiche technique
1 077En stock
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: 1 300

Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Fiche technique
1 303En stock
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STMicroelectronics FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
355En stock
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: 1 800

STMicroelectronics FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
675En stock
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Min. : 1
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: 3 000

Analog Devices Amplificateur RF 1-22GHz 15W PA
Fiche technique
9En stock
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EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Fiche technique
1 901En stock
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: 2 500

EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Fiche technique
800En stock
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: 1 000

Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
1 882En stock
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: 2 500

Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
3 612En stock
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Mult. : 1
: 2 500

Infineon Technologies Commandes de grilles 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Fiche technique
2 352En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Infineon Technologies Commandes de grilles 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Fiche technique
2 371En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000