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IAUCN04S7N040HATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N040HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N040HAT
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IAUCN04S7N040HAT

N° de fab. :

IAUCN04S7N040HATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IAUCN04S7N040HATMA1 Fiche technique (PDF)

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	1,66 €	1,66 €
	1,06 €	10,60 €
	0,735 €	73,50 €
	0,623 €	311,50 €
	0,52 €	520,00 €
	0,48 €	1 200,00 €
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	0,451 €	2 255,00 €

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	82 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.01 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	13 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	9 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IAUCN04S7N040H SP006008355

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7 40 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à faible R_DS(on) et courant élevé avec un comportement de commutation optimisé. Ces MOSFET automobile à canal N offrent une densité de puissance élevée densité, de faibles pertes de conduction, et une densité de courant élevée. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont livrés dans un boîtier avancé sans fils de 3 mm x 3 mm avec Cu-Clip pour une faible Ron du boîtier et une inductance parasite minimale. Ces MOSFET sont testés en avalanche à 100 % et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont idéaux pour des applications telles que la distribution d'énergie, les vérins de vitres, les sièges électriques, les EPS à haute redondance et les modules de contrôle de carrosserie.

MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7

Infineon Technologies présente sa technologie de pointe OptiMOS™ 7 MOSFET de puissance automobile avec une résistance à l’état passant remarquablement faible, des pertes de commutation réduites et une robustesse améliorée. OptiMOS 7 redéfinit le paysage des MOSFET de puissance automobile. La technologie de MOSFET OptiMOS 7 d'Infineon établit un nouveau standard pour les applications automobiles, permettant performance et efficacité tout en répondant aux défis des systèmes automobiles de demain.