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ISC030N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N12NM6ATMA
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC030N12NM6ATMA

N° de fab. :

ISC030N12NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

ISC030N12NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,35 €	4,35 €
	2,84 €	28,40 €
	2,37 €	237,00 €
	2,31 €	1 155,00 €
	2,30 €	2 300,00 €
	2,29 €	5 725,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,78 €	8 900,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	194 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	59 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	8.8 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	12 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC030N12NM6 SP005578327

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.