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RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ3N025ATTB1

N° de fab. :

RQ3N025ATTB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RQ3N025ATTB1 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,07 €	1,07 €
	0,671 €	6,71 €
	0,442 €	44,20 €
	0,344 €	172,00 €
	0,312 €	312,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,272 €	816,00 €
	0,252 €	1 512,00 €
	0,243 €	2 187,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	240 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	13 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	14 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Transconductance directe - min.:	2.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	8.6 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal P RQxAT

Le RQxAT à canal P de ROHM Semiconductor est doté d'un boîtiermonté en surface avec une faible résistance à l'état passant et est testé à 100 % Rg et UIS. Ces MOSFET à canal P offrent une tension grille-source de ±20 V. Les MOSFET RQ3N025AT et RQ5L030AT offrent, respectivement, unerésistance drain-source à l'état passant maximale de de 240 mΩ et de 99 mΩ . Ces MOSFET à canal P sont conformes à la directive RoHS et sans halogène. Les MOSFET RQ3N025AT et RQ5L030AT offrent, respectivement, une tension drain-source de -80 V et de -60 V. Ces MOSFET à canal P fonctionnent dans la plage de température de -55°C à 150°C. Les applications typiques comprennent la commutation et les entraînements à moteur.