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XPJR6604PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJR6604PBLXHQ
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

757-XPJR6604PBLXHQ

N° de fab. :

XPJR6604PB,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Fiche technique:

XPJR6604PB,LXHQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,31 €	13,10 €
	1,19 €	119,00 €
	1,18 €	590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,04 €	1 560,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	530 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	128 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	54 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	42 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	152 ns
Délai d'activation standard:	73 ns

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Selection Guide 2024 - MOSFETs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

Les MOSFETs N-Channel 40V/80V/100V Toshiba L-TOGL et S-TOGL, qualifiés AEC-Q101, offrent une résistance à l’état passant ultra-faible, un courant de drain élevé et une excellente dissipation thermique. Ceci est réalisé en combinant des boîtiers à forte dissipation thermique [L-TOGL (large empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M) et S-TOGL (petite empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M)] avec les processus de puce U-MOS IX-H et U-MOS X-H. Les MOSFET L-TOGL et S-TOGL de Toshiba offrent également une capacité de courant élevé et une forte dissipation thermique pour contribuer à améliorer la densité de puissance dans une large variété d'applications automobiles. Le boîtier L-TOGL est équivalent en taille au boîtier TO-220SM(W) existant. Cependant, le XPQR3004PB améliore considérablement le courant nominal et réduit de manière significative la résistance à l'état passant à 0,23 mΩ standard. L'empreinte optimisée du boîtier L-TOGLs contribue également à améliorer les caractéristiques thermiques par rapport au boîtier TO-220SM(W) de même taille.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.