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SQS174ELNW-T1_GE3

Name: Vishay SQS174ELNW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS174ELNW-T1_GE3
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQS174ELNW-T1_GE3

N° de fab. :

SQS174ELNW-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQS174ELNW-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,01 €	10,10 €
	0,671 €	67,10 €
	0,55 €	275,00 €
	0,538 €	538,00 €
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	0,456 €	1 368,00 €
	0,452 €	4 068,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8SLW
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	72 V
Id - Courant continu de fuite:	87 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	103 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerPAK® 1212

Les MOSFET POWERPAK ® 1212 de Vishay sont idéaux pour les applications de commutation et disposent d’une résistance à l’état passant d’environ 1 mΩ et peuvent supporter jusqu’à 85 A. Le POWERPAK 1212 de Vishay présente une technologie de boîtier pour atténuer le risque de dégradation des matrices haute performance. Ce boîtier offre une impédance thermique ultra-faible dans une conception compacte, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint.