RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Fab. :

Description :
IGBTs POWER TRS1

Cycle de vie:
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Fiche technique:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
12,81 € 12,81 €
12,44 € 124,40 €
8,92 € 267,60 €
7,43 € 445,80 €
6,49 € 778,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marque: Renesas Electronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 20 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 1 uA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: IGBTs
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT de commutation à haute vitesse RJP65T43DPM

L’IGBT de commutation à haut débit RJP65T43DPM de Renesas Electronics est un IGBT 650 V, 20 A avec une plage de fréquence de fonctionnement de 20 kHz à 100 kHz. Cet IGBT offre une faible tension de saturation collecteur-émetteur et est fourni dans un boîtier TO-3PFM. L’IGBT RJP65T43DPM dispose d’un courant de crête collecteur de 150 A, d’une dissipation de collecteur de 68,8 W et d’une température de jonction de 175 °C. Cet IGBT est stocké dans la plage de température de -55 °C à 150 °C et les applications typiques comprennent la correction du facteur de puissance (PFC).

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