IPG20N10S4L-22A MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
Fiche technique
4 857En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
Fiche technique
5 254En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
Fiche technique
1 921En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
Fiche technique
1 269En stock
5 00023/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel