MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Micron
340-479119-TRAY
MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Fab. :

Description :
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT

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Micron Technology
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR4
16 Gbit
32 bit
2.133 GHz
WFBGA-200
512 M x 32
1.06 V
1.95 V
- 30 C
+ 85 C
Tray
Marque: Micron
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 1360
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

                        
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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Mémoire LPDDR4

La mémoire LPDDR4 de Micron est optimisée pour résoudre les problèmes de consommation d'énergie dans les applications alimentées par batterie. Ces modules de mémoire offrent une bande passante en crête 33 % plus rapide que la mémoire DDR4. La mémoire LPDDR4 fournit une consommation électrique 5 fois inférieure en mode veille par rapport à la DRAM standard. Ces dispositifs de mémoire disposent de conceptions à boîtier multi-puces (MCP) ou à boîtier sur boîtier (PoP) qui permettent d'économiser de l'espace sur la carte PCB. Les modules de mémoire LPDDR4 optimisent les configurations x16, x32 et x64 et offrent des économies de nomenclature pour certaines applications. La mémoire LPDDR4 combine les performances, la puissance, la latence et l'espace physique qui rendent la solution économe en énergie. Ces dispositifs de mémoire LPDDR4 sont adaptés aux combinés, aux applications fonctionnant sur batterie et aux ultra-portables.