MB85R256FPFCN-G-BNDE1

RAMXEED
249-85256FPFCNGBNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1

Fab. :

Description :
F-RAM 256kbit FeRAM with x8 parallel interface - TSOP28 tray

Modèle de ECAO:
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En stock: 32

Stock:
32 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
10 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,00 € 9,00 €
8,82 € 88,20 €
2 560 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
RAMXEED
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
TSOP-28
70 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marque: RAMXEED
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: JP
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 3.3 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 128
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.