R1RW0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0408DGE2PIB1
R1RW0408DGE-2PI#B1

Fab. :

Description :
SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

Cycle de vie:
Fin de vie:
Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 101

Stock:
101 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
12,80 € 12,80 €
12,79 € 281,38 €
10,74 € 2 835,36 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
12 ns
3.6 V
3 V
100 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
Marque: Renesas Electronics
Pays d’assemblage: TW
Pays de diffusion: JP
Pays d'origine: TW
Type de mémoire: SRAM
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Nombre de pièces de l'usine: 22
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: High Speed
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

EOL

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TARIC:
8542324500
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.

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