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IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 4.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-WVH8M8BLL100B1LI

N° de fab. :

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

Fiche technique:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Ext. Prix:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,92 €	4,92 €
	4,58 €	45,80 €
	4,45 €	111,25 €
	4,43 €	221,50 €
	4,33 €	433,00 €
	4,15 €	1 037,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	HyperRAM
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Largeur du bus de données:	8 bit
Fréquence de l'horloge max.:	100 MHz
Package/Boîte:	TFGBA-24
Organisation:	8 M x 8
Temps d'accès:	40 ns
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	IS66WVH8M8BLL
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	480
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	35 mA
Nom commercial:	HyperRAM
Poids de l''unité:	84 mg

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Fiche technique

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Fiche technique (PDF)

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.