ISSI RLDRAM2 DRAM

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Type
Taille de la mémoire
Largeur du bus de données
Fréquence de l'horloge max.
Package/Boîte
Organisation
Temps d'accès
Tension d’alimentation - Min.
Tension d’alimentation - Max.
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT
Fiche technique
Non stocké
Min. : 104
Mult. : 104
Non
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray