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D5116ANBHXGXN-UF

Name: Kingston D5116ANBHXGXN-UF
Brand: Kingston
SKU: 524-D5116ANBHXGXN-UF
Price: 85.28 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

524-D5116ANBHXGXN-UF

N° de fab. :

D5116ANBHXGXN-UF

Fab. :

Kingston

Description :

DRAM DDR4 8Gb 96 ball 512Mx16 3200Mbps

Cycle de vie:

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Fiche technique:

D5116ANBHXGXN-UF Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Kingston
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR4
Taille de la mémoire:	8 GB
Package/Boîte:	FBGA-96
Organisation:	512 M x 16
Tension d’alimentation - Min.:	1.14 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.26 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 95 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Kingston
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	SDRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

D5116ANBHXGXN-UF Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

LPDDR4 DRAM Devices

Kingston LPDDR4 DRAM Devices feature low power consumption and an auto precharge option for each burst access. These DRAM devices offer DMI pin support for write data masking and DBIdc functionality. The LPDDR4 DRAM devices are packaged in FBGA-200 and have 8Gbits die density. These DRAM devices feature Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) by a built-in temperature sensor and per bank refresh. The LPDDR4 DRAM devices operate at -25°C to 85°C temperature range, 1.6GHz maximum clock frequency, and 1.06V to 1.95V supply voltage range.