Ultra-Low Power SRAM

ISSI Ultra-Low Power SRAM includes high-speed (35ns, 45ns, 55ns access time) CMOS devices as well as Asynchronous SRAM with x8, x16, and x32 configurations. ISSI IS62/65WV2568DALL and IS62/65WV2568DBLL are high-speed, 2Mb static RAMs organized as 256K words by 8 bits. These SRAM devices are fabricated using ISSI high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low-power-consumption devices. ISSI Asynchronous SRAMs include 5V, High-Speed/Low Power, Ultra-Low Power, and Pseudo SRAM (PSRAM)/CellularRAM™. These Asynchronous SRAMs are used throughout Consumer, Industrial, Automotive, Telecom, and Networking applications.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Taille de la mémoire Organisation Temps d'accès Type d'interface Tension d’alimentation - Max. Tension d’alimentation - Min. Courant d’alimentation maximal Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Style de montage Package/Boîte Conditionnement
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 55ns Async SRAM 106En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 200

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 55ns Async SRAM 215En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 200

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Tube
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

4 Mbit 55 ns 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel