R1RP0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RP0408DGE2PIB1
R1RP0408DGE-2PI#B1

Fab. :

Description :
SRAM SRAM 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS -40TO85C

Cycle de vie:
Fin de vie:
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Fiche technique:
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En stock: 116

Stock:
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Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
11,06 € 11,06 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
5.5 V
4.5 V
130 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
Marque: Renesas Electronics
Type de mémoire: SRAM
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Nombre de pièces de l'usine: 22
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

EOL

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.

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