Les plus récent(e)s MOSFET

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10/21/2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10/01/2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08/01/2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05/01/2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04/01/2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01/01/2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ

03/30/2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 à faible résistance RDS (ON) qui garantit des pertes minimales à l’état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV

03/06/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN3732UFB4

01/24/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH15H017LPSWQ

01/18/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH41M2SPSQ

01/17/2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 avec une faible RDS(ON) qui garantit des pertes minimales à l'état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT

01/04/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UVA

01/04/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration automobile DMTH8001STLWQ

05/11/2022

- MOSFET à mode d'amélioration à canal N 80 V, 270 A homologué AEC-Q101 dans un boîtier PowerDI®1012-8 (TOLL).

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10/21/2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10/17/2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10/14/2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10/06/2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

10/02/2025

- Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

09/30/2025

- Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09/08/2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

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