Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers

08/11/2025

- These devices have a low power loss and are highly efficient.

Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers

08/05/2025

- 30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers

08/05/2025

- 10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.

Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers

08/05/2025

- 20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode

07/22/2025

- AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07/10/2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers

07/10/2025

- High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.

Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.

Taiwan Semiconductor Diodes à dispositif d'antiparasitage de tension transitoire (TVS) TLDxxAH

03/17/2025

- Diodes TVS unidirectionnelles à montage en surface de 26 V à 82 V, qualifiées AEC-Q101.

Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers

01/30/2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount Rectifiers

01/30/2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

Taiwan Semiconductor HS1Qx 1200V High-Efficiency Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount rectifiers that feature 75ns, 1A forward current, low power loss, and high efficiency.

Taiwan Semiconductor PLDS3060H/PLDS3080H Rectifiers

11/28/2024

- AEC-Q101 qualified 30A, 600V to 800V surface mount rectifiers with high surge current capability.

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Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11/24/2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

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