Types de Semiconducteurs discrets
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= Taiwan Semiconductor
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Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02/19/2026
02/19/2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers
08/11/2025
08/11/2025
These devices have a low power loss and are highly efficient.
Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers
08/05/2025
08/05/2025
20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers
08/05/2025
08/05/2025
30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers
08/05/2025
08/05/2025
10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.
Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode
07/22/2025
07/22/2025
AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
07/10/2025
07/10/2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers
07/10/2025
07/10/2025
High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
07/10/2025
07/10/2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
07/10/2025
07/10/2025
300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
07/10/2025
07/10/2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes
06/03/2025
06/03/2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes
06/03/2025
06/03/2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes
06/03/2025
06/03/2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes
06/03/2025
06/03/2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.
Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes
03/20/2025
03/20/2025
Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.
Taiwan Semiconductor Diodes à dispositif d'antiparasitage de tension transitoire (TVS) TLDxxAH
03/17/2025
03/17/2025
Diodes TVS unidirectionnelles à montage en surface de 26 V à 82 V, qualifiées AEC-Q101.
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers
01/30/2025
01/30/2025
Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.
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IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
07/20/2026
07/20/2026
Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.
onsemi FET GaN GaNEXUS™
07/08/2026
07/08/2026
Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.
Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2
07/07/2026
07/07/2026
Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.
Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ
06/30/2026
06/30/2026
La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06/29/2026
06/29/2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q
06/26/2026
06/26/2026
Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.
Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA
06/26/2026
06/26/2026
Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.
Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q
06/25/2026
06/25/2026
Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP
06/22/2026
06/22/2026
Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.
Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
06/19/2026
06/19/2026
Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
06/12/2026
06/12/2026
Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile
05/27/2026
05/27/2026
Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.
Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N
05/18/2026
05/18/2026
Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.
Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q
05/12/2026
05/12/2026
Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.
Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™
05/06/2026
05/06/2026
Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .
Littelfuse Diodes TVS AK-FL
05/04/2026
05/04/2026
Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.
Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
05/04/2026
05/04/2026
Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.
Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
05/04/2026
05/04/2026
Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.
Littelfuse SCR haute température SJx08x
04/24/2026
04/24/2026
Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.
Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx
04/24/2026
04/24/2026
Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.
RECOM Power Circuits intégrés, transformateurs et solutions discrètes
04/24/2026
04/24/2026
Des composants parfaitement adaptés aux applications des secteurs de l'énergie, de l'industrie et du médical.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X
04/14/2026
04/14/2026
Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04/10/2026
04/10/2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
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