Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10/17/2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08/21/2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08/21/2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08/21/2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08/21/2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08/20/2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08/19/2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08/19/2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08/19/2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08/06/2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08/06/2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08/06/2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.

ROHM Semiconductor Diodes barrières Schottky RBR40NS

08/04/2025

- Conçues pour une utilisation dans les alimentations de commutation et dotées d'un courant de surtension direct de crête de 100 A.

ROHM Semiconductor Diodes Zener PBZLx

08/04/2025

- Conçues pour des applications de régulation de tension et dotées d’une puissance dissipable admissible de 1 000 mW.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF302LB2S

07/22/2025

- Offre une tension directe et des pertes de commutation faibles dans un boîtier DO-214AA.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET homologués AEC-Q101 de qualité automobile, idéaux pour les applications automobiles.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11/24/2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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