Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

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Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06/03/2025

- Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05/20/2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Redresseurs en pont monophasiques passivés au verre

04/17/2025

- Idéal pour la rectification en onde complète en pont CA/CC pour les moniteurs, les imprimantes et les applications d'adaptateur.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire PAR® monté en surface

04/17/2025

- Idéal pour une utilisation dans la protection de l'électronique sensible contre les transitoires de tension induits par la foudre.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04/03/2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

03/25/2025

- Diode de 150 A, optimisée pour réduire les pertes et les EMI/RFI dans les systèmes de conditionnement de puissance à haute fréquence.

Vishay Modules d'alimentation MOSFET SiC MAACPAK PressFit

03/17/2025

- Conçus pour augmenter l'efficacité et la fiabilité pour les applications de fréquence moyenne à élevée.

Vishay Diodes de protection DES

03/14/2025

- Elles offrent une faible résistance thermique et des valeurs de courant et de puissance étendues dans un boîtier SOT-23.

Vishay Diodes à pont monophasé SiC VS-SCx0BA120

11/12/2024

- Composants robustes et haute performance pour une conversion de puissance efficace dans diverses applications.

Vishay MOSFET à canal N SiJK5100E

11/11/2024

- MOSFET de puissance TrenchFET® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

Vishay MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

10/25/2024

- Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK® avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

Vishay MXP120A MaxSiC™ MOSFET 1 200 V canal N

08/26/2024

- Dispose d'un retard de commutation rapide, un temps de résistance de court-circuit de 3 μs, et une puissance dissipable admissible de 139 W.

Vishay Redresseur standard SE100PWTLK à faible VF pour montage en surface

08/20/2024

- Comprend un espacement de 2,8 mm et une distance d'isolement, un très mince profil et une hauteur standard de 1,3 mm.

Vishay Redresseurs à barrière de Schottky SS20KH170

08/20/2024

- Monté en surface redresseurs haute densité avec une tension directe ultra-faible de 0,6 V à IF = 5 A.

Vishay Redresseurs à barrière de Schottky SS30KH170/SS30KH170S

08/20/2024

- Redresseurs à montage en surface à haute densité de courant avec une chute de tension directe ultra-faibl .

Vishay T15Bx PAR® Protection DES diodes

08/20/2024

- Conception optimisée de la jonction de caractéristique avec technologie de redresseur anisotrope passivé.

Vishay Pont redresseur monophasé GBUE2580

08/20/2024

- Il propose une configuration de circuit en ligne unique avec une faible chute de tension directe dans un boîtier GBU.

Vishay Redresseur à commutation rapide à montage en surface MRSE1PK

08/08/2024

- Un micro redresseur rapide à montage en surface 1 A, 800 V, idéal pour un placement automatisé.

Vishay MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

07/01/2024

- Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire TransZorb®

06/04/2024

- Disposent d'une excellente capacité de serrage, un temps de réponse très rapide et une faible incrémentation de surtension.

Vishay MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

05/17/2024

- Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

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Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11/24/2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

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