Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04/16/2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02/12/2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02/12/2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02/12/2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02/07/2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01/02/2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12/30/2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12/30/2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) IGBT à arrêt de champ en tranchée MIS80N120NT1YHE3 1 200 V

11/28/2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCTL2D0N10YHR de 100 V

11/25/2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11/22/2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Diodes DES à ultra-faible capacité

11/15/2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11/04/2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction à canal N 600 V

10/04/2024

- Disposent d’une faible résistance à l’état passant, d’une faible perte de conduction et d’une commutation douce avec une diode à récupération inverse rapide.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction et à canal N MCU1K4N95SH

10/03/2024

- Dispose d’une faible charge grille-drain, réduisant les pertes de conduction et amplifiant le rendement global.

Micro Commercial Components (MCC) Dispositifs de protection ESD automobile ESDULCx

09/27/2024

- Conçus pour une seule ligne de données ou de puissance, ils offrent des performances exceptionnelles pour les applications modernes.

Micro Commercial Components (MCC) Diode TVS SM6S24AHE3

09/18/2024

- Conçu pour une protection invariable contre les surtensions dans un boîtier DO-218AB-2 compact.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCGL2D1N03YL

09/04/2024

- MOSFET de puissance 30 V, conçu pour fournir de bonnes performances thermiques avec de faibles pertes de puissance.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N 600 V

09/03/2024

- La technologie à super-jonction (SJ) intègre une faible RDS(on) et une diode à récupération rapide intégrée.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET au carbure de silicium (SiC) SICWx

09/03/2024

- MOSFET SiC 650 V avec capacité de commutation à haut débit, fournis dans un boîtier TO-247.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

09/03/2024

- Amplifiez les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCP2D6N10Y de 100 V

08/28/2024

- MOSFET à canal N 100 V conçu pour la commutation à haute puissance.

Micro Commercial Components (MCC) Diodes DES de 3,3 V

08/27/2024

- Protégez jusqu’à huit lignes E/S à haut débit avec des boîtiers CMS polyvalents.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCG50P03B à canal P de 30 V

08/19/2024

- Conçus pour les applications à espace restreint nécessitant des performances fiables.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11/24/2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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