Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

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PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04/09/2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02/17/2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11/28/2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09/13/2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09/04/2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09/03/2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08/29/2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08/29/2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08/29/2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06/18/2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06/17/2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06/17/2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05/23/2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05/23/2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04/12/2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04/11/2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04/11/2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02/19/2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01/19/2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

PANJIT Ultra-Low Forward Voltage Bridge Rectifiers

11/13/2023

- Engineered with oxide planar chip junction technology and features PI protection layers.

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Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02/06/2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02/03/2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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