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ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10/17/2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10/16/2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08/21/2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08/21/2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08/21/2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
08/19/2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08/19/2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08/19/2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08/19/2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08/19/2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08/19/2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08/19/2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08/19/2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V
08/06/2025
Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.
ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3
ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3
08/06/2025
Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3
08/06/2025
Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA
08/04/2025
MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxL120BLFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxL120BLFRA
07/22/2025
MOSFET de qualité automobile, homologué AEC-Q101 pour le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA
07/22/2025
MOSFET homologués AEC-Q101 de qualité automobile, idéaux pour les applications automobiles.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA
07/14/2025
Offre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET
06/30/2025
Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A
06/16/2025
Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT
06/04/2025
MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA
03/13/2025
Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, notamment l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA
03/13/2025
Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, y compris l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.
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    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
    Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
    01/20/2026
    Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
    Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
    Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
    01/19/2026
    Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
    Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
    Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
    01/19/2026
    Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
    onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
    onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
    12/26/2025
    Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
    Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
    Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
    12/23/2025
    Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
    Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
    Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
    12/19/2025
    Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
    onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
    onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
    12/19/2025
    Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
    onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
    onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
    12/04/2025
    Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
    12/04/2025
    Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
    Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
    Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
    12/01/2025
    Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
    onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
    onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
    11/25/2025
    Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
    onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
    onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
    11/25/2025
    Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
    onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
    11/20/2025
    Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.
    Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
    Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
    11/20/2025
    Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
    11/19/2025
    MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL
    11/19/2025
    MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.
    onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
    onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
    11/19/2025
    Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
    11/07/2025
    Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
    Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
    Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
    10/31/2025
    Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
    Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
    Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
    10/31/2025
    Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.
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