Les plus récent(e)s Transistors

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Transistors

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Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10/21/2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

09/18/2025

- Les transistors bipolaires PNP offrent un petit facteur de forme dans un boîtier PowerDI 3333-8 thermiquement efficace.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrent un boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme, thermiquement efficace, pour des produits à plus haute densité.

Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

11/14/2024

- Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10/01/2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08/01/2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

06/24/2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir d'excellentes performances de commutation.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05/01/2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ

05/01/2024

- Disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04/01/2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01/01/2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4

06/02/2023

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ

03/30/2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 à faible résistance RDS (ON) qui garantit des pertes minimales à l’état passant.

Diodes Incorporated Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

03/21/2023

- Les composants sont qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV

03/06/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN3732UFB4

01/24/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH15H017LPSWQ

01/18/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH41M2SPSQ

01/17/2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 avec une faible RDS(ON) qui garantit des pertes minimales à l'état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT

01/04/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UVA

01/04/2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated Transistor avalanche basse tension FMMT411FDBWQ

11/23/2022

- Un transistor bipolaire planaire au silicium conçu pour fonctionner en mode avalanche.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration automobile DMTH8001STLWQ

05/11/2022

- MOSFET à mode d'amélioration à canal N 80 V, 270 A homologué AEC-Q101 dans un boîtier PowerDI®1012-8 (TOLL).

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

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