Qorvo Les plus récent(e)s Transistors RF

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Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
04/19/2022
Fournit 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
04/19/2022
Fournit 31 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 57 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
04/19/2022
Fournit 29,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 56 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
04/19/2022
Fournit 28 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 12 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à 1 dB.
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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12/01/2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT23
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT23
07/26/2022
Contenus dans un boîtier plastique à montage en surface, trois bornes, pas de 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT323
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT323
07/26/2022
Un boîtier en plastique à 3 fils, pas de 1,3 mm, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm pour montage en surface.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
04/19/2022
Fournit 28 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 12 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
04/19/2022
Fournit 29,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 56 % à 1 dB.
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
04/19/2022
Fournit 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
04/19/2022
Fournit 31 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 57 % à 1 dB.
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