Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08/27/2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS 2 diodes à récupération rapide 50 A, 1 200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Deux diodes de commutation de puissance à usage général dans une configuration à cathode commune et un boîtier TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IXYS Redresseur DPF30U200FC en pont triphasé sous 200 V et à 30 A

07/22/2024

- Ce dispositif sert couramment de redresseur dans des alimentations électriques à découpage (SMPS).

IXYS Diode DSEP60-06AZ à récupération rapide 60 A et 600 V

07/08/2024

- Diode simple à récupération progressive, à faibles pertes et à hautes performances en boîtier TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR sensible SRU6008DS2RP

02/19/2024

- Un SCR à blocage direct élevé de 600 V, idéal pour les applications de décharge de condensateur à haute tension.

IXYS Modules thyristors MCMA140P1600TA-NI

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et de céramique Al2O3 à liaison directe en cuivre pour la fréquence de ligne.

IXYS Modules FRED MPA 95-06DA

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et permet une faible perte de commutation pour les dispositifs de commutation à haute fréquence.

IXYS Redresseurs à diode unique DMA80I1600HA

08/11/2022

- Comportent des puces passivées planes, un faible courant de fuite et une faible chute de tension directe.

IXYS Doubles SCR sensibles 1,5 A STS802U2SRP

08/10/2022

- Offrent un dv/dt statique élevé avec un faible temps d'arrêt (tq) et une capacité de surtension jusqu'à 20 A.

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Littelfuse SP1120-01WTG Unidirectional Discrete TVS Diode

03/09/2026

- Proprietary silicon avalanche technology and offers high ESD protection for electronic equipment.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03/09/2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode

03/06/2026

- Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.

Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode

03/06/2026

- Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.

Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode

03/06/2026

- Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.

Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode

03/06/2026

- AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.

Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode

03/06/2026

- Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.

Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode

03/06/2026

- Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode

03/06/2026

- Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS Sx4340L

03/05/2026

- Présentent une capacité ultra-faible de 0,55 pF dans un boîtier compact SOD882.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03/05/2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode

03/03/2026

- Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.

Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier

03/03/2026

- Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.

Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode

03/03/2026

- Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.

Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier

03/03/2026

- Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.

Vishay Diodes TVS 3KDFN12CA à 3KDFN100CA

03/02/2026

- Diodes TVS Transzorb®, conçues pour protéger des composants électroniques sensibles contre des surtensions.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Littelfuse Diode de protection DES SC3402-02ETG

02/23/2026

- Diode de protection DES à capacité ultra-faible conçue pour protéger les interfaces de données à haute vitesse.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02/19/2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

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