Les plus récent(e)s Transistors

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Transistors

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = onsemi Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

onsemi NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

03/13/2026

- Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10/14/2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD

10/13/2025

- Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.

onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC

10/13/2025

- Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10/06/2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

onsemi Transistors à résistance de polarisation PNP NBSAMXW

09/09/2025

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé.

onsemi Transistors à résistance de polarisation NPN NSBCMXW

09/08/2025

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09/08/2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P

09/04/2025

- Idéal pour les conceptions à espace restreint où la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles.

onsemi Modules convertisseurs NPC à 3 niveaux NXH600N10x

08/25/2025

- Les modules d'alimentation dans le F5BP contiennent un convertisseur à trois niveaux au point neutre bloqué de type I.

onsemi MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01

08/08/2025

- Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

06/23/2025

- Offre d'excellentes performances thermiques et un faible RDS(activé) dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFDx 100 V

06/09/2025

- Affiche des valeurs RDS(on) faibles et des caractéristiques de commutation rapides dans un boîtier DFN-8 peu encombrant.Fe

onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

05/23/2025

- Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.

Consulter : 1 - 25 sur 188

Filtrer par :

onsemi NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

03/13/2026

- Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03/09/2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03/05/2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02/05/2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Consulter : 1 - 25 sur 646

Types de Transistors

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance