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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08/21/2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08/19/2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08/19/2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08/06/2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxL120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET de qualité automobile, homologué AEC-Q101 pour le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET homologués AEC-Q101 de qualité automobile, idéaux pour les applications automobiles.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06/30/2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06/16/2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA

03/13/2025

- Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, notamment l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA

03/13/2025

- Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, y compris l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1N04BBH N-Ch

03/12/2025

- Il offre une tension entre la source et le drain de 80 V avec une faible résistance de conduction dans un boîtier TO263AB haute puissance.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RS7

01/16/2025

- Conçus pour offrir des performances dans les entraînements à moteur, les applications de commutation et les convertisseurs CC/CC.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RD3G08CBLHRB

08/01/2024

- Testé à 100 % en mode Avalanche, 40 V, 80 A, homologué AEC-Q101 et conforme à la directive RoHS.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible N-Ch 60 V 310 mA BSS138WAHZG

06/20/2024

- Présente plusieurs caractéristiques pour optimiser la performance et la fiabilité.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3xFRATCB

06/11/2024

- MOSFET qualifiés AEC-Q101 de qualité automobile, dans un petit boîtier 3,3 mm x 3,3 mm de haute puissance.

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Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03/05/2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10/21/2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10/17/2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10/14/2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

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