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IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
12/26/2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
12/23/2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12/19/2025
12/19/2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
11/25/2025
11/25/2025
Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
11/25/2025
11/25/2025
Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
11/20/2025
11/20/2025
Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
11/20/2025
11/20/2025
Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL
11/19/2025
11/19/2025
MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
11/19/2025
11/19/2025
MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
10/31/2025
10/31/2025
Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
10/31/2025
10/31/2025
Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3
10/21/2025
10/21/2025
Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.
Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5
10/17/2025
10/17/2025
Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10/16/2025
10/16/2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L
10/14/2025
10/14/2025
Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.
onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P
10/14/2025
10/14/2025
Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.
IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4
10/08/2025
10/08/2025
Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.
onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10
10/06/2025
10/06/2025
MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.
Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7
10/02/2025
10/02/2025
Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N
09/30/2025
09/30/2025
Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.
Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF
09/29/2025
09/29/2025
Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q
09/09/2025
09/09/2025
Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N
09/08/2025
09/08/2025
MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.
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