Microchip Les plus récent(e)s IGBTs
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Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12/01/2025
12/01/2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11/19/2025
11/19/2025
Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD
10/13/2025
10/13/2025
Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.
onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC
10/13/2025
10/13/2025
Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
05/22/2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
ROHM Semiconductor IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE
01/15/2025
01/15/2025
Présentent une faible tension de saturation collecteur-émetteur et de faibles pertes de commutation.
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
12/24/2024
12/24/2024
Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.
ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V
10/17/2024
10/17/2024
Ils présentent une faible perte de commutation et de conduction et sont idéaux pour les compresseurs électriques et les chauffages HT.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.
IXYS IGBT XPT Gen5
07/25/2024
07/25/2024
Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.
Infineon Technologies Composants discrets automobile IGBT EDT2
07/19/2024
07/19/2024
Technologie IGBT 750 V qui améliore l'efficacité énergétique des applications de transmission automobile.
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
07/03/2024
07/03/2024
Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.
onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T
06/12/2024
06/12/2024
Homologué AEC-Q101 et utilise une construction robuste à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085
06/04/2024
06/04/2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04/24/2024
04/24/2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04/12/2024
04/12/2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A
03/01/2024
03/01/2024
IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante.
onsemi Pompes à chaleur
03/01/2024
03/01/2024
La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.
onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD
02/07/2024
02/07/2024
Ces dispositifs utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7.
Bourns Solutions d'électrification
12/20/2023
12/20/2023
Transformateurs, bobines d'arrêt, résistances et autres produits conçus pour les systèmes utilisés dans l’électrification.
onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A
11/29/2023
11/29/2023
Utilise la technologie IGBT 7th-generation et est logé dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A
11/29/2023
11/29/2023
technologie IGBT 7th-generation avancée et logée dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T
11/22/2023
11/22/2023
Ces dispositifs disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V
11/13/2023
11/13/2023
Équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée.
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