Inolux Phototransistors

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Package/Boîte Style de montage Courant du collecteur l'état passant max. Tension collecteur-émetteur de rupture Tension de saturation collecteur-émetteur Courant d'obscurité Temps de montée Temps de descente Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max.
Inolux Phototransistors Top View / 1206 / 3.2x1.6x1.1 15 977En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 800 uA 400 mV 100 nA 15 us 15 us 150 mW - 40 C + 85 C
Inolux Phototransistors Through Hole / Standard 3mm T1 / Black Lens 1 419En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Phototransistors Through Hole 30 V 400 mV 100 nA 15 us 15 us 75 mW - 40 C + 80 C
Inolux Phototransistors Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 / Black Lens 1 399En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Phototransistors Through Hole 30 V 400 mV 100 nA 15 us 15 us 75 mW - 40 C + 80 C
Inolux Phototransistors Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 1 035En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Phototransistors Through Hole 30 V 400 mV 100 nA 15 us 15 us 75 mW - 40 C + 80 C
Inolux Phototransistors Side View / 1209 / 3.0x2.35x1.6 / Dome 11 960En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 4.4 mA 400 mV 100 nA 15 us 15 us 150 mW - 40 C + 85 C
Inolux Phototransistors Top View / 0805 / 2.0x1.3x0.8
11 94010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 2 mA 400 mV 100 nA 15 us 15 us 150 mW - 40 C + 85 C
Inolux Phototransistors Top View / 0603 / 1.6x0.8x0.88 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Phototransistors 0603 (1608 metric) SMD/SMT 2.42 mA 400 mV 100 nA 15 us 15 us 150 mW - 40 C + 85 C
Inolux Phototransistors Through Hole / Standard 3mm T1 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Phototransistors Through Hole 30 V 400 mV 100 nA 15 us 15 us 75 mW - 40 C + 80 C