STMicroelectronics Transistors MOSFET RF

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 300
Mult. : 300
Bobine: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 300
Mult. : 300
Bobine: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 300
Mult. : 300
Bobine: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel