Transistors MOSFET RF

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Ampleon Transistors MOSFET RF Power LDMOS Transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 100
Mult. : 100
Bobine: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon Transistors MOSFET RF Power LDMOS Transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 60
Mult. : 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray