STMicroelectronics Modules IGBT

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I 219En stock
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SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.7 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT 9En stock
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IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 2.15 V 3 A 12 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
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SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
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SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube