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STH12N120K5-2AG

Name: STMicroelectronics STH12N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH12N120K5-2AG
Price: 10.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STH12N120K5-2AG

N° de fab. :

STH12N120K5-2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

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STH12N120K5-2AG Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	10,33 €	10,33 €
	8,37 €	83,70 €
	6,97 €	697,00 €
	6,34 €	3 170,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	5,81 €	5 810,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	266 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	35.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	57 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	1,490 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET haute tension SuperMESH™

Les MOSFET de puissance SuperMESH™ protégés par une diode Zener de STMicroelectronics représentent une optimisation extrême de la disposition PowerMESH™ en bande standard. Les MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics SuperMESH réduisent considérablement la résistance à l'état passant tout en garantissant une excellente capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Les dispositifs SuperMESH ont une charge de grille réduite et sont 100 % testés en mode avalanche, tout en offrant une capacité améliorée aux ESD et une nouvelle référence de tension élevée. Ces MOSFET de STMicroelectronics sont destinés aux applications de commutation.
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