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STO450N6F7

Name: STMicroelectronics STO450N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO450N6F7
Price: 5.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STO450N6F7

N° de fab. :

STO450N6F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Fiche technique:

STO450N6F7 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,25 €	5,25 €
	3,65 €	36,50 €
	2,64 €	264,00 €
	2,63 €	1 315,00 €
	2,37 €	2 370,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
	2,24 €	4 032,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-LL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	545 A
Rds On - Résistance drain-source:	850 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	300 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	454 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	90 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	100 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	55 ns
Poids de l''unité:	697 mg

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.